據外媒報道，三星將于6月11~16日的VLSI Symposium 2023活動上，公布其最新的3nm、4nm芯片制造工藝。這一芯片活動將在日本京都舉行。

　　具體看，三星將公布的是第二代3nm SF3工藝、第四代4nm SF4X工藝，這兩項技術對該公司十分重要，有助于其吸引更多客戶，與臺積電競爭。此前三星的4nm工藝效果不佳，表現(xiàn)遜于臺積電同代工藝，其制造的Exynos 2200和驍龍8 Gen 1芯片發(fā)熱較大，受到了市場許多批評。

　　

 

　　官方表示，三星最新的SF3工藝是此前SF3E工藝的改進版本，將采用3nm GAP技術。這種工藝使用了GAA柵極全環(huán)繞晶體管(英特爾也有類似技術)，三星稱之為MBCFTE場效應管。

　　與SF4(4nm EUV LPP)工藝相比，消息稱SF3工藝芯片在相同功率下，運行速度提高了22%，或者說在相同頻率以及晶體管數量的條件下，效率提高了34%，此外芯片面積也縮小了21%。GAA工藝的優(yōu)勢便是改變納米片通道的寬度，該技術可以明顯提高晶體管密度。

　　此前有爆料者表示，三星未來的3nm SF3工藝將用于制造Exynos 2500以及高通驍龍8 Gen 4 for Galaxy芯片。

　　而三星的第四代4nm SF4X工藝，有望用于制造服務器CPU、GPU等，與第二代4nm SF4工藝相比，性能將提升10%，能效有望提升23%。這一工藝將與臺積電的N4P(第二代4nm)、N4X(第三代4nm)工藝節(jié)點進行競爭。

　　據外媒AnandTech消息，三星的SF4X工藝將是該公司近年來第一個針對高性能服務器HPC芯片的工藝節(jié)點，具有重要意義，這也代表著三星或許已經有了一些意向客戶。